中國累計採購 343 台浸潤式 DUV 曝光機，美國國會擬加強管制

中國在半導體製造設備上的累積實力，引起美國國會的高度關注。美國華盛頓智庫「科技與治國方略中心」（CTS）發布的最新研究報告指出，中國半導體製造商自 2012 年至 2026 年間，累計採購了 343 台浸潤式深紫外光（DUV）曝光機。這項發現促使美國國會考慮進一步加強對相關設備的出口管制。

曝光機是半導體製造中最關鍵的設備之一，負責將晶片的電路圖案投射到晶圓上。目前最先進的曝光技術是極紫外光（EUV），用於製造最尖端的晶片，美國已透過管制限制中國取得 EUV 設備。浸潤式 DUV 曝光機則是次一級的技術，透過在鏡頭與晶圓之間加入液體來提升解析度，搭配多重曝光等技術，仍能用來製造相當先進的晶片，包括 7 奈米甚至更先進的製程。

343 台的累計採購量相當可觀。這意味著中國已經建立起龐大的 DUV 曝光產能，即使無法取得最先進的 EUV 設備，仍能透過大量的 DUV 設備與多重曝光技術，生產具一定先進程度的晶片。業界分析人士指出，這正是美國出口管制面臨的挑戰：管制最尖端的設備，並不足以完全阻止中國提升半導體製造能力，因為次一級的設備搭配製程創新，仍能達到相當的效果。

美國國會考慮加強管制，可能的方向包括限制更多類型的 DUV 設備出口、管制設備的維修與零件供應，或要求盟國配合實施更嚴格的管制。由於全球主要的曝光機供應商集中在荷蘭與日本，美國的管制需要盟國的配合才能發揮效果。這也牽涉到相關國家設備業者的商業利益，以及國際間的政策協調。

對產業的影響方面，若美國加強 DUV 設備的出口管制，將進一步限制中國半導體產業的擴張，也會影響曝光機供應商的營收。對台灣而言，美中半導體管制的升級，將持續影響全球半導體供應鏈的布局。中國若在先進製程上受到更多限制，可能加速其成熟製程的擴產，對成熟製程市場的供需與價格帶來影響。

展望後續，外界將關注美國國會是否推出具體的管制法案、盟國的配合程度，以及中國的因應策略。