中國晶艾科技獲國家支持,目標 2027 年啟動先進製程試產線

中國晶艾科技獲國家支持,目標 2027 年啟動先進製程試產線

2026/10/14

在中國十五五規劃與工信部強力推動的晶片專案帶動下,半導體國產替代進程持續加速。獲國家支持的晶艾科技,目標在 2027 年啟動先進製程試產線,被寄予突破關鍵技術的厚望。

中國半導體國產替代的步伐持續加快。在中國「十五五」規劃,以及工業和信息化部強力推動的晶片專案帶動下,獲得國家資金支持的晶艾科技(Jinai Tech)設定目標,將在 2027 年啟動先進製程試產線。這家企業被賦予突破中國先進製程技術瓶頸的重要使命。

美國近年持續擴大對中國的半導體出口管制,限制先進晶片、製造設備與相關技術輸往中國,使中國在先進製程發展上面臨嚴峻挑戰。在此背景下,中國政府將半導體自主化列為國家級戰略,透過政策、資金與產業基金,全力扶植本土晶片製造、設備與材料業者,希望減少對外國技術的依賴。

十五五規劃是中國 2026 年至 2030 年的國家發展藍圖,半導體與 AI 等關鍵科技被列為重點發展領域。晶艾科技作為獲國家支持的企業,其發展方向與國家戰略高度一致。業界分析人士指出,中國推動先進製程試產線,不只是建立產能,更重要的是透過實際生產累積製程經驗,並帶動本土設備與材料供應鏈的發展與驗證。

然而,中國發展先進製程仍面臨多重障礙。最關鍵的是極紫外光(EUV)微影設備,目前全球僅有 ASML 能夠生產,且受出口管制無法輸往中國。在缺乏 EUV 的情況下,中國業者只能以深紫外光(DUV)設備搭配多重曝光技術推進製程,成本高、良率低,難以大規模量產。此外,高階製程人才、關鍵材料與電子設計自動化工具,也都是中國需要補強的環節。

中國半導體國產替代的進展,對全球半導體產業具有深遠影響。若中國在成熟製程與部分先進製程取得突破,將改變全球晶片供應格局,對台灣、韓國等半導體重鎮帶來競爭壓力。同時,中國市場對外國晶片與設備的需求可能逐步下降,影響國際業者的營收結構。

展望後續,值得觀察的是晶艾科技能否如期在 2027 年啟動試產線、實際採用的製程技術節點,以及良率與產能表現。中國半導體自主化是一場長期抗戰,其進度將持續牽動美中科技競爭與全球半導體供應鏈的重組。