英特爾 14A 製程發力追趕，缺陷密度下降速度為 22 奈米以來最佳
2026.08.31
英特爾表示 14A 製程的缺陷密度下降速度是 22 奈米世代以來最佳，顯示良率改善進度符合預期。這是其重返先進製程競爭的關鍵指標。
英特爾表示其 14A 製程的缺陷密度下降速度，是 22 奈米世代以來表現最佳的一次；這顯示良率的改善進度符合規畫。作為其重返先進製程競爭的關鍵節點，這項指標的意義相當重大。 缺陷密度是半導體製造中最核心的良率指標。它代表每單位晶圓面積上的缺陷數量，直接決定了一片晶圓能產出多少可用晶片；而在晶片面積愈來愈大的先進製程上，這個影響被放大——同樣的缺陷密度，面積翻倍的晶片其良率會顯著下降。 「下降速度…
