SanDisk 發表首個高頻寬快閃記憶體標準,為 AI 推論提供新記憶層

SanDisk 發表首個高頻寬快閃記憶體標準,為 AI 推論提供新記憶層

2026/08/10

SanDisk 公布業界首個高頻寬快閃記憶體(HBF)標準。這項技術被視為在 HBM 之外,為 AI 推論工作負載提供大容量記憶層的新路線,可望改變 AI 伺服器的記憶體階層設計。

SanDisk 公布業界首個高頻寬快閃記憶體(High Bandwidth Flash,HBF)標準。這項技術被定位為在高頻寬記憶體(HBM)之外的補充方案,目標是為 AI 推論工作負載提供容量更大、成本更低的記憶層。

要理解 HBF 的意義,必須先看當前 AI 系統的記憶體困境。大型語言模型的參數量持續膨脹,而模型推論時需要把權重載入記憶體。目前 AI 加速器使用的 HBM 雖然頻寬極高,但單顆容量有限且成本高昂——當模型規模超過單一加速器的 HBM 容量,就必須拆分到多顆晶片上,或頻繁地在主記憶體與 HBM 之間搬移資料,兩種做法都會造成效能損失。

HBF 的構想是在記憶體階層中插入新的一層:容量遠大於 HBM、頻寬遠高於傳統 SSD、成本遠低於 DRAM。其技術基礎是把 NAND Flash 以類似 HBM 的方式堆疊並透過高速介面連接,藉此突破傳統快閃記憶體受限於介面頻寬的瓶頸。對於權重讀取遠多於寫入的推論工作負載而言,Flash 的讀取特性其實相當適配。

這條路線的產業意涵值得注意。當前 AI 記憶體市場高度集中在少數幾家 HBM 供應商手中,產能與定價權都極為集中。若 HBF 能取得實際採用,等於為 NAND Flash 業者開闢一條進入 AI 核心供應鏈的路徑,市場結構將出現變化。這也是為什麼快閃記憶體廠商積極推動此類標準的商業動機。

技術挑戰同樣明確。NAND Flash 的寫入壽命有限、寫入延遲高,且以區塊為單位的抹寫特性與 DRAM 的隨機存取模式截然不同。要讓它在記憶體階層中發揮作用,需要控制器、韌體與軟體堆疊的深度配合,並針對特定工作負載做最佳化。這意味著 HBF 不太可能成為通用記憶體,而會鎖定在權重載入、KV 快取等特定用途。

生態系的接受度是關鍵變數。任何新的記憶體標準要成功,都需要加速器廠商在晶片設計階段納入支援,並有軟體框架配合調度。單一廠商發布標準只是起點,能否吸引其他記憶體業者、加速器設計商與雲端業者共同參與,才是決定命運的因素。

後續觀察重點包括:其他記憶體廠與加速器業者的表態、標準的規格細節與世代規畫,以及首批採用該技術的實際產品時程。