聯電日本廠傳結合力旺 IP 生產 2D NAND 台廠首赴日產記憶體
2026/04/22
全球 NAND Flash 市場自 2025 年下半進入供需緊俏階段，AI 伺服器、高階智慧手機與車用儲存需求齊揚，拉動記憶體價格連番上漲。在此供需失衡背景下，市場近期傳出，日本記憶體大廠為補強產能，主動來台尋求合作夥伴，最終聚焦於聯電（2303）位於日本的晶圓廠，並搭配 IP 大廠力旺（3529）的關鍵 IP 與電路設計能量，將生產 2D NAND Flash 晶片，為台灣半導體史上首度在日本設廠生產記憶體。
根據市場訊息，此次合作以 2D NAND 技術為主軸。雖然消費級 NAND 已大舉邁向 3D 堆疊架構，但 2D NAND 在工業、車用、部分嵌入式系統仍有穩定需求，且製程成熟、良率穩定、對特製製程設備需求較低，相對適合導入聯電既有 12 吋廠線。聯電日本廠原本以邏輯與特殊製程為主，若能擴增記憶體生產線，將有助於進一步分散單一產品風險，提升廠區產能利用率。
力旺在此合作中扮演關鍵角色。作為全球少數具備嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）IP 領導地位的業者，力旺掌握 OTP、MTP、Flash IP 的專利與設計 Know-how，其 IP 可協助客戶將記憶體功能整合進各式 SoC 或獨立記憶體晶片。由力旺提供 IP 與電路設計、聯電提供製造產能，形成「IP + Foundry」分工，符合近年半導體產業日益專業化的發展趨勢。
從產業結構觀察，此合作具有三重戰略意涵。其一，日本記憶體業者希望在地緣政治與供應鏈重組壓力下，降低對中韓產能的依賴，轉向與地緣風險較低、技術互信度較高的台系夥伴合作。其二，聯電持續延伸海外布局，繼新加坡、中國之後，強化日本據點的多元產品能力，提升在全球晶圓代工版圖的競爭力。其三，台灣 IP 廠商力旺藉此進一步確立在特殊記憶體領域的國際地位，對其長期授權金收入具正面助益。
對台灣半導體產業而言，這是首度將「記憶體製造」業務由台廠透過海外廠承接，象徵台廠從邏輯晶圓代工向記憶體代工延伸的重要里程碑。業界分析人士指出，此模式若順利推行，未來可望複製至其他特殊製程記憶體產品，強化台灣在記憶體產業的參與深度。
展望後續，市場將關注具體客戶身分、量產時程、產能規模，以及此合作是否觸發其他日本與美國記憶體業者也採類似模式，進一步重塑全球記憶體供應鏈分工。