Samsung HBM5E 量產無限期延後 D1d DRAM 良率不達標再受重擊

根據韓國媒體 IT Chosun 報導、Wccftech 轉述，三星電子（Samsung Electronics）次世代 1d DRAM（第七代 10 奈米製程，也稱 D1d）良率未能達成內部目標，直接導致計劃以該製程生產的下一代 HBM5E（第五代加強版高頻寬記憶體）量產時程被無限期延後。這對三星在全球 AI 記憶體市場的布局無疑是一次重大挫折。

HBM（High Bandwidth Memory）是目前 AI 加速器（如 NVIDIA H100、H200、B200 以及 Google TPU、AMD MI300 系列等）不可或缺的關鍵記憶體，提供遠超傳統 DRAM 的頻寬與能效。過去數年，三星一度因 HBM 設計取向與客戶認證時程等因素，在 HBM3 與 HBM3E 階段落後競爭對手 SK hynix，讓 SK hynix 成為 NVIDIA 的主要 HBM 供應商。市場原本期待三星能於下一代 HBM5 / HBM5E 世代扳回一城，如今卻因上游製程良率問題再度拖延。

根據報導內容，問題核心在 1d DRAM 製程（也有稱 7th Gen 10nm 節點）未能達到三星內部設定的良率水準。HBM5E 屬於堆疊式記憶體，需要將高良率的裸晶透過先進 TSV（矽穿孔）與封裝技術整合；若底層 DRAM 良率不穩，整體堆疊成本將大幅上升，甚至可能無法達到商用可行性。

這項延後對三星記憶體事業部的影響是多重的。首先，短期內將無法與 SK hynix、Micron 等競爭對手正面比拼 HBM5 世代的訂單，NVIDIA、AMD 等 AI 晶片大廠將更依賴後兩者供貨。其次，三星在與客戶的技術認證流程中，時程落後可能影響未來數個產品週期的競標；最後，這也反映出三星在先進 DRAM 製程上的研發挑戰並非短期可解。

從供應鏈角度看，日本 4 月 20 日強震已造成 Kioxia 供應疑慮，SanDisk 與 Phison 暫停 NAND 報價；如今 Samsung HBM5E 再延後，使整體高階記憶體供應情勢更加緊繃。業界分析人士指出，若三星良率問題無法於年內解決，2027 年 HBM 市占版圖恐將進一步朝 SK hynix 傾斜。

對於 AI 產業，HBM 供給若持續不足，將對 GPU、AI 加速器的出貨節奏產生連鎖效應，甚至推升最終產品價格。雲端業者與 AI 公司可能須加緊與多家記憶體供應商簽訂長約，以確保 2026 至 2027 年的關鍵算力供應。

接下來觀察重點在於三星何時能公布具體的良率改善時程與替代方案，以及 HBM5E 延後後 HBM6 等更下一代產品的布局調整。