SK 海力士美國首座 HBM 封裝基地奠基，投資逾 40 億美元
2026.08.28
SK 海力士在美國的首座高頻寬記憶體封裝基地正式奠基，投資逾 40 億美元，預計 2029 年下半年量產。這是記憶體封裝環節的地理重配置。
SK 海力士在美國的首座高頻寬記憶體（HBM）封裝基地正式奠基，投資金額超過 40 億美元，預計 2029 年下半年進入量產。這代表記憶體產業的封裝環節，開始出現地理上的重新配置。 HBM 的製造流程與一般記憶體有本質差異。它採用多層晶粒垂直堆疊、以矽穿孔實現層間連接的架構；堆疊的層數愈多，對位精度、熱應力控制與良率管理的要求就愈嚴苛。這使得封裝在 HBM 的總成本與良率中占有極高的權重——與一…
