英特爾先進封裝再添大單，SK 海力士下一代 HBM 將導入 EMIB
2026.08.25
SK 海力士的下一代高頻寬記憶體將導入英特爾 EMIB 先進封裝技術。這是先進封裝供應來源多元化的重要進展，也打破了記憶體與封裝各自為政的慣例。
SK 海力士的下一代高頻寬記憶體（HBM）將導入英特爾的 EMIB 先進封裝技術。這是先進封裝供應來源多元化的重要進展，也顯示記憶體業者與封裝技術供應者之間的關係正在重組。 要理解這項合作的技術意義，得先看 HBM 的結構特性。高頻寬記憶體採用多層晶粒垂直堆疊、以矽穿孔實現層間連接的架構，其本身就是先進封裝的產物；而堆疊完成的記憶體還必須與運算晶粒整合到同一封裝內，才能形成完整的加速器。這道最終…
