ASML 揭高 NA EUV 在地化布局 為台灣 AI 半導體藍圖鋪路

ASML 揭高 NA EUV 在地化布局 為台灣 AI 半導體藍圖鋪路

2026/05/26

ASML 台灣總經理揭示新一代高 NA EUV 設備在地化布局,並描繪 AI 時代半導體製程藍圖。此次說明凸顯 ASML 對台灣作為 EUV 設備最大客戶基地的長期承諾。

ASML 台灣總經理近期公開揭示新一代高 NA EUV(High-NA Extreme Ultraviolet)設備的在地化布局,並描繪 AI 時代半導體製程藍圖。這次說明不僅展示 ASML 對台灣作為全球最大 EUV 設備客戶基地的長期承諾,也揭示了 2 奈米以下節點的關鍵技術路徑與台灣產業的角色。

高 NA EUV 是 ASML 繼第一代 EUV(0.33 NA)後推出的下一代微影設備,採用更高數值孔徑(0.55 NA)的光學系統,可達成更小的曝光圖案,支援 2 奈米以下節點的量產。每台高 NA EUV 設備售價高達 4 億美元,是當前半導體製造領域最複雜、最昂貴的單一設備之一。ASML 目前已交付多台高 NA EUV 設備給 Intel、台積電、三星、SK 海力士等主要客戶,並計畫在 2026 至 2028 年加速擴大產能。

ASML 在台灣的布局歷史悠久。台灣是 ASML 全球第一大客戶基地,台積電與 ASML 的合作關係深厚到雙方共同開發 EUV 製程技術。ASML 在新竹、台南、林口設有多個辦公室與服務據點,員工數超過 4,000 人,提供從設備銷售、安裝、維護、培訓到下一代研發的完整服務。新一代高 NA EUV 設備在台灣的在地化服務體系,包括備料、技術支援、人才培育,將是支撐台積電 2 奈米及更先進製程量產的關鍵。

從技術藍圖看,ASML 在 COMPUTEX 與相關場合揭示的內容涵蓋多個面向。短期(2026–2027)重點是高 NA EUV 在 2 奈米、A14 節點的量產驗證與良率優化;中期(2028–2030)則是 Hyper-NA EUV(更高數值孔徑)的研發與初期部署,目標支援 A10、A7 節點;長期(2030 後)則探索 X-ray 微影、Roadmap-beyond-EUV 等更前瞻技術,以延續摩爾定律。

對台灣半導體產業而言,ASML 高 NA EUV 在地化布局具有多重戰略意義。首先,台積電可在新製程節點上獲得 ASML 的優先支援,維持其先進製程領先地位;其次,台灣本土供應鏈業者(如光罩、光阻、特殊化學品、潔淨室設備)將獲得更多與 ASML 合作的機會,提升整體生態系競爭力;第三,台灣作為全球 EUV 設備服務樞紐的地位將進一步鞏固,吸引更多國際半導體業者來台研發或設廠。

從人才角度看,ASML 的在地化布局也帶動半導體高階人才需求大幅成長。高 NA EUV 設備的維護、調校、研發需要光學、雷射、控制、軟體等多領域人才,且薪資待遇遠高於業界平均。ASML 與台灣多所大學(如交通大學、清華大學、台灣大學、成功大學)建立人才培育合作,並提供海外實習與培訓機會,逐步建立完整的人才供應鏈。

業界分析人士指出,ASML 在台灣的長期投資反映其對台灣半導體產業生態系的高度信賴。在地緣政治壓力日益升溫的背景下,ASML 仍選擇加碼台灣布局,凸顯台灣在全球半導體版圖中的戰略地位短期內難以被替代。然而 ASML 也透過分散全球布局(如美國、日本、韓國、馬來西亞),以降低單一地點風險。

短期內,ASML 高 NA EUV 設備將在台積電 2 奈米廠快速部署,並可能在 2027 年正式投入量產。中長期觀察重點則在於高 NA EUV 良率提升速度、Hyper-NA EUV 研發進度、以及台灣半導體供應鏈能否在新世代製程中持續維持競爭優勢,這些將決定台灣是否能在 A14 與更先進製程節點繼續引領全球。