花旗看多美光 DRAM 漲價週期 上修目標價反映 AI 記憶體需求結構性轉強

花旗銀行針對美國記憶體大廠美光科技發布最新研究報告，進一步調升其目標股價，並將美光列為 AI 記憶體供應鏈中最具上行空間的標的之一。報告核心觀點集中在 DRAM 漲價週期延長、HBM 持續供不應求，以及美光在美國本土產能擴張帶來的客戶優先採購效應，這三項因素將共同推升美光 2026 年的營收與毛利結構。

記憶體市場自 2024 年底進入新一輪上行週期，主要動能來自 AI 伺服器對 HBM、超高容量 DDR5 與 LPDDR5X 的旺盛需求。HBM 供應持續吃緊，三大供應商三星、SK 海力士、美光的產能即便加滿仍無法滿足輝達、AMD、雲端業者的訂單需求，迫使部分客戶以提前付款、長約鎖價方式爭取出貨。在這樣的供需結構下，DRAM 報價在 2026 年逐季向上，預計第三季合約價將較第一季再上漲 15% 至 20%。

美光在這波週期中的相對優勢來自三點。其一，1α 與 1β 製程量產進度順利，於台灣、日本、美國三地形成穩定產出，相較三星與 SK 海力士的良率挑戰更為穩定。其二，美光積極搶進 HBM3E 8-Hi、12-Hi 量產，並已開始驗證 HBM4 規格，未來在輝達、AMD、AWS 自研晶片的 HBM 採購中可望進一步擴大份額。其三，美國本土產能擴張獲得 CHIPS Act 補貼支持，無論在政府客戶（國防、能源、醫療）或大型雲端業者的「美製優先」採購政策中皆能受惠。

花旗報告同時點出風險因素。最主要為 HBM 良率提升速度若不如預期，可能延後美光營收貢獻時點；其次為中國 DRAM 廠長江存儲（YMTC）、合肥長鑫（CXMT）若加速擴產，可能在中低階 DDR5 市場形成價格壓力；最後則為宏觀經濟若進入緊縮週期，企業 IT 支出減速可能影響整體記憶體需求。然而報告強調，AI 結構性需求足以抵銷上述短期風險，美光中長期成長路徑明確。

對股市投資人而言，美光此波估值重估背後是 AI 記憶體獨立成為投資主題的縮影。過去記憶體股票常被視為高度週期性、估值天花板較低的標的，但 HBM、客製化 DRAM 與封裝整合服務的出現，使得記憶體業者的營收與客戶結構逐步轉向長約化、高毛利化，這也是花旗願意調升目標價的核心理由。

業界分析人士指出，美光的成長路徑與 SK 海力士、三星形成「三強鼎立」結構，未來 12 個月內若 HBM4 量產進度順利，美光在 AI 加速器市場的話語權將進一步擴大。中長期觀察重點除了 HBM 規格升級節奏，還包括美國紐約 Clay 新廠的進度，以及美光是否能在客製化 HBM 基底晶片領域取得與台積電、英特爾代工夥伴的協作突破，這將決定美光能否在 2027 年後維持目前的成長動能。