三星示警明年 DRAM 更吃緊，集邦：本季 DRAM 合約價估漲 10% 至 15%、NAND 漲 15% 至 20%

記憶體市場的供需緊張可能持續到明年。記憶體龍頭三星預告，明年高頻寬記憶體（HBM）占全球 DRAM 晶圓產能的比重，將從目前約 20% 大幅增加至逼近 30%。在產能排擠效應下，傳統 DRAM 的供應恐將進一步吃緊。研調機構集邦科技（TrendForce）也同步發布報告，指出本季兩大記憶體合約價持續上揚。

HBM 是 AI 加速器不可或缺的關鍵元件，透過將多層 DRAM 晶片堆疊，提供極高的資料傳輸頻寬。由於 AI 伺服器需求強勁，加上 HBM 的利潤遠高於傳統 DRAM，記憶體大廠紛紛將產能優先配置給 HBM。然而 HBM 的製造需要消耗更多的晶圓產能，相同的晶圓投入下，能產出的 HBM 容量少於傳統 DRAM，這使得 HBM 比重的提升，直接壓縮了傳統 DRAM 的供應量。

集邦科技的報告顯示，本季 DRAM 合約價估計季增 10% 至 15%，儲存型快閃記憶體 NAND Flash 合約價則季增 15% 至 20%。其中，企業級固態硬碟（SSD）的需求最強，是唯一漲幅加速擴大的品項。企業級 SSD 需求強勁，同樣與 AI 資料中心的建設有關，AI 訓練與推論需要儲存與快速存取大量資料。

業界分析人士指出，記憶體價格上漲已對下游產業造成明顯影響。智慧型手機市場預估今年出貨量將萎縮，記憶體短缺是主要原因之一；蘋果新任執行長傳出考慮以裁員因應記憶體成本壓力，也反映了終端品牌的困境。另一方面，記憶體業者則受惠於價格上漲，美光最新一季毛利率衝上 86.8% 的歷史新高，就是最直接的例證。

對台灣產業而言，傳統 DRAM 供應吃緊，對南亞科、華邦等專注於利基型與標準型 DRAM 的台廠是利多。這些業者的產品雖然不屬於 HBM，但在大廠將產能轉向 HBM 的情況下，市場空缺將有利於其接單與報價。不過，記憶體價格持續上漲，也將推升台灣電腦、手機與伺服器組裝業者的成本。

展望後續，市場將關注 HBM 產能擴充的速度、傳統 DRAM 價格的漲幅是否延續至明年，以及終端市場能否承受持續上漲的記憶體成本。