K&S：混合鍵合與 TCB 技術走向「共生」而非彼此取代

設備業者 K&S 認為，混合鍵合與熱壓鍵合（TCB）在先進封裝中將形成互補共存的關係，而非外界常見預期的取代關係。這項判斷的基礎，在於兩種技術各自適用的間距與應用區間並不完全重疊。

熱壓鍵合是目前先進封裝中廣泛使用的技術。它透過在加壓與加熱的條件下讓微凸塊與接墊結合，形成晶片之間的電氣連接。這項技術成熟度高、製程窗口相對寬鬆、設備與材料的生態系完整，在多數的堆疊應用中都能穩定運作。

混合鍵合則走向更極致的密度。它省去凸塊，直接讓兩片晶圓或晶片的銅接點與周圍的介電層同時貼合形成連接。由於沒有凸塊佔用空間，接點間距可以縮小到遠低於熱壓鍵合的極限，連接密度因此大幅提升，同時訊號路徑更短、寄生電容更低。

但混合鍵合的代價也相當具體。它對表面平整度、潔淨度與對位精度的要求極高，任何微小的顆粒或凹凸都可能造成接合失效；製程環境的控制與前置的表面處理成本，都遠高於熱壓鍵合。這使得它在成本效益上僅適用於真正需要極高連接密度的應用。

兩者共存的邏輯因此相當清楚。在需要極致密度的區域——例如記憶體與邏輯晶片之間的高頻寬介面——採用混合鍵合；而在密度要求較寬鬆、成本敏感度較高的環節，熱壓鍵合仍是更合理的選擇。同一個封裝內同時使用兩種技術，並非不可能的組合。

對設備業者而言，這種判斷影響產品線的布局策略。若兩種技術長期共存，就必須同時維持兩條產品線的研發投入，而非集中資源押注單一路線。後續觀察重點在於客戶端的實際採用比例，以及混合鍵合的成本能否隨產能擴大而下降到足以擴展應用範圍的水準。