記憶體短缺 2027 年緩解,晶片成長恐於 2029 年撞牆
2026/09/16
在 2026 年供應吃緊與價格大漲之後,DRAM 產能擴充可望使 2027 年的供需缺口明顯收斂。
在經歷 2026 年數個月的供應吃緊與價格大幅上漲之後,全球記憶體市場預期將在 2027 年因為 DRAM 產能擴充而使供需缺口明顯收斂,而晶片產業的成長則可能在 2029 年面臨瓶頸。
記憶體產業的循環模式長期穩定。價格上漲刺激擴產決策,而新產能從決定投資到實際開出需要約兩年;等到產能陸續投產,需求的成長往往已經放緩,供給隨即由短缺轉為過剩,價格下跌又抑制下一輪投資。當前的位置正處在擴產決策已做出、產能尚未開出的階段。
這一輪循環有一項新的變數:高頻寬記憶體。這類產品的製造佔用的產能數倍於標準記憶體,使得同樣的晶圓投入能產出的位元數明顯較少;換言之,產能的名目擴充不必然等比例轉化為可供應的位元量。這可能延緩供需的再平衡。
2029 年的瓶頸預期則指向更結構性的限制。晶片產業的成長長期由製程微縮驅動,而當微縮的物理與經濟效益同時遞減,效能與成本的改善速度就會放緩;屆時的成長必須更多依賴封裝技術、架構創新與異質整合,而這些路徑的貢獻幅度較難預測。
對採購方而言,這類預測的價值在於規劃庫存與簽約策略。若 2027 年確實轉為寬鬆,現階段的長約鎖價就可能不利;反之,若緩解時程延後,未及早鎖定供給的業者將承受成本壓力。這個判斷直接影響伺服器與終端裝置業者的毛利。
後續觀察重點在於各大廠的資本支出執行進度與高頻寬記憶體的產能占比。前者決定新增供給的時點,後者決定這些供給有多少能流向標準產品市場——而這兩個變數共同決定了緩解的實際幅度。