三星 COMPUTEX 大秀 HBM5 關鍵 HPB 架構與 HBM4E 晶圓

三星半導體於 COMPUTEX 2026 首度展示橫跨記憶體、晶圓代工、邏輯晶片與先進封裝的全球唯一整合方案，並公開新一代 HBM5 關鍵 HPB 架構以及 HBM4E 晶圓樣品。這項展出宣示三星在 AI 記憶體技術上的領導野心，也是其在 HBM 市場與 SK 海力士、Micron 競爭中重要的反擊動作。

過去三年，HBM 市場由 SK 海力士主導，特別在 NVIDIA Hopper 與 Blackwell 系列 GPU 上拿下絕大多數訂單。三星雖然規模最大、製造能力最強，但在 HBM3E 認證進度上一度落後 SK 海力士。隨著三星 HBM3E 12 層堆疊獲得 NVIDIA 認證、HBM4E 進入樣品階段，公司在 AI 記憶體市場的地位明顯回升。本屆 COMPUTEX 公開 HBM5 HPB 架構，更顯示其技術路線圖已延伸至 2027 至 2028 年的下一代產品。

HBM5 HPB（Hybrid Performance Bonding）架構是三星在 HBM 堆疊技術上的關鍵突破。相較傳統的微凸塊（Micro-bump）連接，HPB 採用直接銅對銅鍵合技術，能大幅降低連接電阻、提升訊號完整性、降低功耗，並支援更高層數的堆疊（如 20 層以上）。這對於下一代 AI GPU 對 HBM 容量與頻寬的指數級需求至關重要。HBM4E 晶圓的展示，則代表三星已在 HBM4 標準制定外另闢更高規格的延伸產品線。

從產業面看，三星的全方位整合方案展示帶來三大訊號。第一，公司不只是 HBM 供應商，更是能提供「記憶體+晶圓代工+封裝」一站式服務的全鏈廠商；第二，HBM 市場競爭升溫，價格與技術差異化將成為主戰場；第三，台積電在 CoWoS 等先進封裝市場的優勢可能面臨來自三星的挑戰。

未來 12 至 18 個月，三星 HBM5 量產進度、HBM4E 客戶導入、晶圓代工先進製程的回升能力，將是觀察其能否重回半導體領導地位的核心指標。