SiC 基板邁向 12 吋，台廠瞄準 AI 電源、先進封裝與通訊商機

台灣碳化矽（SiC）材料業者正加速推進大尺寸晶圓技術，從主流的 6 吋、8 吋朝 12 吋邁進。隨著 AI 電源與高頻通訊需求持續發展，台廠也逐步把 SiC 的應用版圖，從電動車與功率元件擴展到 AI 散熱、先進封裝與通訊等新領域。

碳化矽是一種寬能隙半導體材料，具有耐高壓、耐高溫與高導熱的特性。過去十年，SiC 最主要的應用是電動車的逆變器與充電系統，能有效提升電能轉換效率、延長續航。然而，隨著電動車市場成長趨緩、中國業者大舉擴產壓低價格，SiC 產業一度面臨供過於求的壓力，業者因此積極尋找新的成長動能。

AI 資料中心正好提供了這個機會。AI 伺服器功耗大幅提高，資料中心的電源架構朝更高電壓發展，需要更高效率的功率元件來降低轉換損耗，SiC 的優勢在此獲得發揮。另一方面，SiC 的高導熱特性也讓它在散熱與先進封裝中受到關注，據悉部分業者正評估以 SiC 作為封裝中的中介層或散熱材料，協助解決高效能晶片的熱管理難題。在通訊領域，SiC 基板也是高頻射頻元件的重要材料。

推進 12 吋的意義在於降低單位成本。晶圓尺寸愈大，單片可切割的晶片數愈多，攤提後的成本就愈低。業界分析人士指出，12 吋 SiC 晶圓若能量產，不僅有助於台廠在價格競爭中站穩腳步，也能與既有的 12 吋半導體製程設備與產線更好地銜接，特別是在先進封裝的應用上。不過，SiC 晶體生長難度高、缺陷控制不易，大尺寸化的技術門檻相當可觀。

對台灣產業而言，SiC 是少數台灣有機會在材料端建立自主能力的領域。若能在 12 吋技術上取得突破，並打入 AI 電源與先進封裝供應鏈，將有助於台灣半導體產業從製造延伸到關鍵材料，降低對國外基板供應的依賴。

展望未來，12 吋 SiC 的量產時程、良率與成本曲線，將決定這項技術能否真正放量。在 AI 帶動電力與散熱需求急遽上升的背景下，碳化矽很可能從「電動車材料」轉型為「AI 基礎設施材料」，為台廠打開新的成長空間。