台積電 2030 年起導入 High-NA EUV，A10 製程預期成首發

台積電規劃自 2030 年起導入 High-NA EUV 技術，而 A10 製程節點被預期為首個採用的世代。相較於部分同業的積極態度，這個時程安排顯得相對審慎。

High-NA EUV 的技術本質，是把曝光設備的數值孔徑從 0.33 提高到 0.55。數值孔徑決定光學系統能解析的最小尺寸，數值越高，單次曝光能達到的解析度就越精細。理論上，這讓原本需要多重曝光才能形成的圖案，可以用單次曝光完成。

但提高數值孔徑帶來了連鎖的代價。首先是曝光面積減半——為了在更大的孔徑下維持光學品質，設備的單次曝光視野縮小到原本的一半，這意味著同樣的晶片可能需要分兩次曝光再拼接，反而增加了製程步驟與對位誤差的風險。

其次是成本。High-NA 設備的單價遠高於現行機種，而配套的光罩、光阻材料與量測系統也都需要重新開發。在多重曝光的既有方案仍能達成目標規格的情況下，導入新設備是否划算，取決於兩者的總成本比較。

這解釋了審慎時程的理由。當既有的多重曝光方案在成本與良率上仍具競爭力，等待新技術成熟並讓設備成本下降，可能比搶先導入更為理性。歷史上多項微影技術的導入時點，都經歷過類似的評估。

不過，這種等待也有風險。若競爭者透過早期導入累積了製程經驗與良率優勢，後進者的追趕就需要時間。後續觀察重點在於各家業者的實際導入節奏，以及 A10 世代的規格是否會因為技術進展而調整——製程藍圖在正式量產前，向來保有相當的彈性。