三星示警明年 DRAM 更吃緊，集邦：本季 DRAM 合約價估漲 10% 至 15%、NAND 漲 15% 至 20%
2026.10.01
記憶體龍頭三星預告，明年高頻寬記憶體 HBM 占全球 DRAM 晶圓產能比重將逼近 30%，傳統 DRAM 供應恐進一步吃緊。研調機構集邦科技同步指出，本季 DRAM 合約價估季增 10% 至 15%，NAND Flash 季增 15% 至 20%，南亞科、華邦等台廠可望受惠。
記憶體市場的供需緊張可能持續到明年。記憶體龍頭三星預告，明年高頻寬記憶體（HBM）占全球 DRAM 晶圓產能的比重，將從目前約 20% 大幅增加至逼近 30%。在產能排擠效應下，傳統 DRAM 的供應恐將進一步吃緊。研調機構集邦科技（TrendForce）也同步發布報告，指出本季兩大記憶體合約價持續上揚。 HBM 是 AI 加速器不可或缺的關鍵元件，透過將多層 DRAM 晶片堆疊，提供極高的資料…
